HG/T 3433-1990 酸性紫红 B

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【英文标准名称】:Specificationsforparticulartypesofwindingwires;part21:solderablepolyurethaneenamelledroundcopperwireovercoatedwithpolyamide,class155
【原文标准名称】:特种绕组线规范第21部分:155级聚酰胺包敷可软焊聚氨酯漆包圆铜线
【标准号】:IEC60317-21-1990
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:1990-10
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IX-IEC)
【起草单位】:IEC/TC55
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:绕组线;金属线;电气工程;瓷漆的;规范(验收);聚酰胺;特性;交货条件;验收规范;电线;导电体;铜;绕组;圆导线;聚氨酯;绝缘线;可钎焊的;铜线;漆包线
【英文主题词】:Acceptancespecification;Copper;Copperwires;Deliveryconditions;Electricconductors;Electricwires;Electricalengineering;Enamelled;Enamelledwires;Insulatedwires;Polyamides;Polyurethane;Properties;Roundwires;Solderable;Specification(approval);Windingwires;Windings;Wires
【摘要】:Appliestoinsulatedwiresusedforwindingsinelectricalequipment.Thenominalconductordiameterscoveredarefrom0.05mmto1.6mmforgrades1and2.ReferstoIEC182forbasicdimensions,IEC851fortestmethodsandIEC264forpackaging.
【中国标准分类号】:K12
【国际标准分类号】:29_060_10
【页数】:19P.;A4
【正文语种】:英语

标准名称：	重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：	Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
中标分类：	冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类：	电气工程 >> 半导体材料
替代情况：	替代GB/T 14847-1993
发布部门：	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期：	2011-01-10
实施日期：	2011-10-01
首发日期：	1993-12-30
作废日期：
主管部门：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位：	全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位：	宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人：	李慎重、何良恩、许峰、刘培东、何秀坤
出版社：	中国标准出版社
出版日期：	2011-10-01
页数：	12页
书号：	155066·1-42666

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。
本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm 且外延层厚度大于2μm 的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试0.5μm~2μm 之间的n型和p型外延层厚度。

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